CVD/PECVD气相沉积炉

CVD/PECVD气相沉积炉简介：

博纳热CVD/PECVD气相沉积炉是一款基于等离子体化学气相沉积技术的先进薄膜沉积设备，具备卓越的性能，能够对各种材料进行高质量的薄膜沉积，包括金属、半导体、绝缘体等。

广泛应用于微电子、光电、平板显示、储能等领域。通过使用博纳热CVD/PECVD气相沉积炉，用户可以轻松实现各种材料的薄膜沉积，提高产品的性能和可靠性。

CVD/PECVD气相沉积炉特点：

温度范围：最高温度可达1200℃(HRE电阻丝加热。

智能化控制：配备50段可编程自动控制系统，轻松实现精确的温度控制和程序设定。

安全保护功能：具备超温保护功能，当温度超过允许设定值时自动断电，防止设备过热损坏;同时具有安全保护功能，当炉体漏电时自动断电，确保操作者的安全。

冷却系统：炉壳采用双层风冷结构，确保设备在长时间运行中保持稳定，表面温度低于50℃。

高品质材料：炉膛采用日本技术真空吸附成型的优质氧化铝多晶纤维无机材料。

密封性能：采用304不锈钢KF快卸密封法兰。

控温性能：升温速率稳定，最大不超过20℃/分;控温精度高，达到±1℃，确保实验结果的准确性和可重复性。

高沉积速率：采用射频辉光技术，沉积速率可达10Å/S。

高均匀性和一致性：通过先进的多点射频馈入技术、特殊气路分布和加热技术等手段，使得薄膜均匀性指标达到8%，一次沉积的各基片之间偏差低于2%。

高稳定性：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定。

真空性能：标配直连式真空泵，极限真空度可达10Pa。

质量流量控制：标配三路质量流量计，精确控制气体的流量和比例。

等离子射频电源：大射频功率达500W，输出频率为13.56MHz±0.005%，输入电源为208-240VAC, 单相50/60Hz。

可选配件：

真空系统可根据客户需求选择

可提供混气系统及质量流量计，满足多路气体的混合及流量的精准控制

高清触控屏

技术参数